硅半导体器件辐射效应及加固技术 [刘文平 著] 2013年版.pdf _书籍大小: 58.49M.doc

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亚博标准网 书籍名称硅半导体器件辐射效应及加固技术 刘文平 著 2013年版.pdf _书籍大小 58.49M.doc 书籍简介本书重点介绍了硅半导体器件的电离辐射损伤效应及其抗辐射加固的基本原理和方法。全书共分六章,主要内容包括空间电离辐射环境、半导体电离辐射损伤、器件单粒子翻转率的基本概念和基本机理的介绍与分析,硅双极半导体器件.MOS器件、SOI器件和硅DMOS器件电离总剂量辐射效应瞬时剂量率辐射效应.单粒子辐射效应的基本机理及其与关键设计参数、工艺参数的关系以及辐射加固的基本原理和基本方法的分析.纳米级器件结构的辐射效应以及相关辐射加固的基本原理的概述和展望。本书可供微电子专业的研究生和从事微电子专业的科技人员进行抗辐射半导体器件研究开发、设计制造参考。下载注意事项 由于文件较大,本书使用百度网盘提供,可一键转存和下载,下载前请确保已有百度网盘账号,此说明共2页,第一页为书籍简介,第二页为百度网盘的下载地址(支付学豆后可看)书籍名称硅半导体器件辐射效应及加固技术 刘文平 著 2013年版.pdf _书籍大小 58.49M.doc请使用百度网盘书籍下载链接https//
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